【电力】宅经济效应推动三星·sk存储半导体价格持续走高

    宅经济效应推动三星·sk存储半导体价格持续走高

    据业界18日消息，中国台湾市场调查机构集邦（trendforce）预测，今年第二季度nand闪存固定交易价格有望环比上涨3%至8%。特别是三星电子美国奥斯汀工厂在上个月中旬因强寒流导致电力中断后，连续一个月停工，nand闪存控制器供需出现差池，因此nand闪存价格可能将高于预期。在今年初之前，多方分析认为nand闪存产业行情将从今年下半年开始得到改善，但由于需求增长比预想的要快，预计行情改善时期或将提前。但由于今年第一季度供大于求的情况持续，预计价格将比去年第四季度下降5%至10%。

    近期，dram价格也已正式进入上涨周期，受终端产品需求持续畅旺等影响，dram客户急欲提高dram库存水位。据推测，dram固定交易价格今年第一季度上涨3%至8%后，第二季度涨幅也将环比大幅上扬13%至18%。集邦分析称：“dram买方在所有dram产品群中都面临库存积压。pc用dram、服务器dram、移动端dram等所有产品的价格都将上涨。”并且，在各pc品牌仍持续扩大今年生产目标的带动下，pcdram需求持续升温。宅经济效应持续带动电视、机顶盒以及网通产品的需求不坠。此外，在5g基础建设加速转换下，对小容量consumerdram的需求旺盛。买方在感受到市况极缺的情况下，更是加大采购力度，使第二季度consumerdram的供需缺囗扩大，预测交易价格仍有上涨空间。

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